АО «ГРАНИТ-ВТ» ЭЛЕКТРОННАЯ АППАРАТУРА ДЛЯ ОТВЕТСТВЕННЫХ ПРИМЕНЕНИЙ

Авторизация
Регистрация
Восстановить пароль

МОДУЛЬ ОБРАЗ-M

НАЗНАЧЕНИЕ
Модуль репрограммируемой энергонезависимой памяти ОБРАЗ-M предназначен для работы в качестве расширителя объема энергонезависимой репрограммируемой памяти для вычислительного модуля КРЕДО-M или в качестве модуля памяти вычислительных систем с шиной ISA в конструктиве "ARINC 600"
 
Области применения
  • Системы управления подвижными объектами;
  • Промышленные системы управления и сбора данных;
  • Системы, работающие в реальном масштабе времени;
  • Высоконадежные системы, работающие в сложных условиях эксплуатации
 
ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

Характеристики питания

  • Потребляемая мощность, не более: 5 Вт
  • Питание модуля:
    • Номинальное напряжение питания: 5 ±5 % Вольт
    • Потребляемый ток: 1 Ампер

Конструкция (модуль)

  • Исполнение: Для тяжелых условий
  • Конструктив: Arinc 600
  • Масса: 250 грамм
  • Длина: 255 мм
  • Ширина: 170 мм
  • Толщина: 20 мм

Устойчивость к внешним воздействующим факторам

  • Повышенная влажность воздуха при температуре +35°С, не более: 98 %
  • Пониженное атмосферное давление: 5 мм рт.ст.
  • Синусоидальная вибрация в диапазоне частот:
    • Диапазон частот: от 5 до 2000 Гц
    • Амплитуда виброускорения: 49 м/с2
  • Удар одиночного действия:
    • Амплитуда ускорения: 147 м/с2
    • Длительность удара: 0 мс
  • Рабочая температура:
    • Рабочая температура при кондуктивном отводе тепла: от -40 до 75 °С
    • Рабочая температура при воздушном охлаждении: от -40 до 85 °С

Системная магистраль

  • ISA:
    • Вольтаж: 5 Вольт
    • Типовая разрядность данных: 16 бит
    • Тип синхронизации: Асинхронная
    • Мультиплексирование адреса/данных: нет
    • Типовое количество проводников: 94
    • Типовая разрядность адреса: 16 бит
    • Число линий прерываний: 11

Память

  • FLASH-память:
    • Емкость: 8 Мбайт
    • Назначение: до 64 Мбайт, в зависимости от варианта исполнения модуля
  • SRAM:
    • Организация: Статическое буферное ОЗУ
    • Емкость: 256 кбайт
    • Назначение: для реализации процедуры программирования сектора flash-памяти без привлечения вычислительных ресурсов вычислительного модуля
  • NVRAM (энергонезависимое ОЗУ):
    • Назначение: для хранения информации о текущей структуре данных в массиве flash-памяти с целью организации рестарта вычислительного процесса при кратковременных отказах электропитания и сбоях
    • Емкость: 4 кбайт



В начало страницы

www.granit-vt.ru
Copyright c 1992-2017 ГРАНИТ-ВТ
Все торговые марки принадлежат их официальным владельцам