АО «ГРАНИТ-ВТ» - Параметрическая таблица

Название	ОБРАЗ-3	ФН-3P	ОБРАЗ-3V	ОБРАЗ-3P	ОБРАЗ-M
Конструкция (модуль)
Исполнение	Для тяжелых условий	Для тяжелых условий	Для тяжелых условий	Для тяжелых условий	Для тяжелых условий
Конструктив	3U	3U	3U	3U	Arinc 600
Масса, грамм	150	220	270	220	250
Длина, мм	167	167	167	167	255
Ширина, мм	100	100	100	100	170
Толщина, мм	13	13	13	13	20
Устойчивость к внешним воздействующим факторам
Повышенная влажность воздуха при температуре +35°С, не более, %	98	100	98		98
Пониженное атмосферное давление, мм рт.ст.	5	5	5	5	5
Повышенная влажность воздуха при температуре +50°С, не более, %				100
Рабочая температура
Рабочая температура при воздушном охлаждении, °С	от -40 до 85		от -40 до 85	от -40 до 65	от -40 до 85
Рабочая температура при кондуктивном отводе тепла, °С	от -40 до 75	от -40 до 70	от -40 до 80	от -40 до 60	от -40 до 75
Синусоидальная вибрация в диапазоне частот
Диапазон частот, Гц	от 5 до 2000	от 5 до 2000	от 5 до 2000	от 5 до 2000	от 5 до 2000
Амплитуда виброускорения, м/с2	147	98	147	147	49
Удар одиночного действия
Амплитуда ускорения, м/с2	196	196	392	392	147
Длительность удара, мс	0	0	0	0	0
Характеристики питания
Потребляемая мощность, не более, Вт		16	5	5	5
Питание модуля
Номинальное напряжение питания, Вольт	5 ±5 %	13 ±5 % 25 ±5 %	5 ±5 %	15 ±5 % 23 ±5 %	5 ±5 %
Потребляемый ток, Ампер	1		1		1
Системная магистраль	+	+	+	+	+
ISA	+				+
Compact PCI		+		+
Режим работы устроийсва на шине		Master/Slave		Master/Slave
Разрядность PCI, бит		32		32
Частота шины PCI, МГц		33/66 М		33 М
Магистраль VME			+
Поддерживаемые форматы обмена VME			1A24/D32 2A24/D16 3A16/D8(EO) 4A16/D16
Память	+	+	+	+	+
FLASH-память	+	+	+	+	+
Организация	репрограммируемая секционированная	Флэш-память (BIOS)		Возможно исполнение модуля с меньшим объемом flash-памяти.
Емкость, Мбайт	32	0	8	8192	8
Назначение		16 Мбайт Флэш-памяти (BIOS), используется для хранения кодов и данных программы инициализации, а также программ и данных пользователя	до 32 Мбайт, в зависимости от варианта исполнения	+8 Мбайт для хранения кодов и данных программы инициализации, а также программ и данных пользователя (BIOS).	до 64 Мбайт, в зависимости от варианта исполнения модуля
NVRAM (энергонезависимое ОЗУ)	+	+	+	+	+
Назначение	для хранения информации о текущей структуре данных в массиве flash-памяти с целью организации рестарта вычислительного процесса при кратковременных отказах электропитания и сбоях	для хранения информации о текущей структуре данных в массиве flash-памяти с целью организации рестарта вычислительного процесса при кратковременных отказах электропитания и сбоях	для хранения информации о текущей структуре данных в массиве flash-памяти с целью организации рестарта вычислительного процесса при кратковременных отказах электропитания и сбоях	для хранения информации о текущей структуре данных в массиве flash-памяти с целью организации рестарта вычислительного процесса при кратковременных отказах электропитания и сбоях	для хранения информации о текущей структуре данных в массиве flash-памяти с целью организации рестарта вычислительного процесса при кратковременных отказах электропитания и сбоях
Емкость, кбайт	4	512	4	64	4
SDRAM		+		+
Назначение		для хранения данных и программ, выполняемых процессором		для хранения данных и программ, выполняемых процессором
Организация		Системное ОЗУ		Системное ОЗУ
Емкость, Мбайт		256		32
SRAM					+
Организация					Статическое буферное ОЗУ
Емкость, кбайт					256
Назначение					для реализации процедуры программирования сектора flash-памяти без привлечения вычислительных ресурсов вычислительного модуля
Вычислительное ядро		+		+
Микропроцессор (микросхема)		Au1550-333MBF		IDT79RC32V334-133
Интерфейсы
USB 1.1		+
Количество каналов		2
Используемое количество контактов на канал		5
Ethernet		+
Количество каналов		1
Скорость обмена данными, бит/с		10М/100М
Используемое количество контактов на канал		9
RS-232(неполный)		+		+
Количество каналов		2		2
Скорость обмена данными, бит/с		1М		1М
Используемое количество контактов на канал		2		2
Внешние соединители
Компонент		352152-1		352152-1